Single Crystal Germanium Wafer / Ingot Featured Image

Tək Kristal Germanium Gofret / Külçə

Təsvir

Tək Kristal Germanium Gofret/Külçəvə ya monokristal germanium gümüşü boz rəngdədir, ərimə nöqtəsi 937°C, sıxlığı 5,33 q/sm.³.Kristal germanium kövrəkdir və otaq temperaturunda az plastikliyə malikdir.Yüksək saflıqda germanium üzən zona ilə əldə edilir və yüksək elektron hərəkətliliyinə və yüksək deşik hərəkətliliyinə malik n-tipi və ya p-tipli keçiricilik əldə etmək üçün indium və qalium və ya sürmə ilə doplanır və dumanlanma və ya buzlanmaya qarşı elektriklə qızdırıla bilər. tətbiqlər.Single Crystal Germanium kimyəvi dayanıqlığı, korroziyaya davamlılığı, yaxşı keçiriciliyi, çox yüksək sındırma indeksi və yüksək dərəcədə qəfəs mükəmməlliyini təmin etmək üçün Vertical Gradient Freeze VGF texnologiyası ilə yetişdirilir.

Tətbiqlər

Tək Kristal Germanium diodlar və tranzistorlar üçün elektron dərəcəli istifadə olunduğu perspektivli və geniş tətbiqlər tapır, İnfraqırmızı və ya optik dərəcəli germanium blankı və ya pəncərəsi IR optik pəncərə və ya disklər üçün, gecə görmədə istifadə olunan optik komponentlər və təhlükəsizlik üçün termoqrafik görüntüləmə həlləri, uzaqdan temperaturun ölçülməsi, yanğınsöndürmə və sənaye monitorinq avadanlığı, yüngül qatqılı P və N tipli Germanium vaflisi də Hall effekti təcrübəsi üçün istifadə edilə bilər.Hüceyrə dərəcəsi III-V üçlü qovşaqlı günəş batareyalarında istifadə olunan substratlar və günəş batareyasının konsentratlaşdırılmış PV sistemləri və s.

İndi sorğu

Təfərrüatlar

Teqlər

Texniki spesifikasiya

Tək Kristal Germanium

Tək Kristal Germanium Gofret və ya külçəWestern Minmetals (SC) Corporation-da n-tipli, p-tipli və qatqısız keçiricilik və orientasiya <100> ilə 2, 3, 4 və 6 düym diametrdə (50mm, 75mm, 100mm və 150mm) çatdırıla bilər. vafli üçün köpük qutusu və ya kaset paketində və karton qutu ilə birlikdə külçə üçün möhürlənmiş plastik torbada həkk olunmuş və ya cilalanmış səthi bitirmə, polikristal germanium külçəsi də sifariş əsasında və ya mükəmməl həllə nail olmaq üçün fərdi spesifikasiya kimi mövcuddur.

Simvol	Ge
Atom nömrəsi	32
Atom çəkisi	72.63
Element Kateqoriya	Metalloid
Qrup, Dövr, Blok	14, 4, S
Kristal quruluş	almaz
Rəng	Bozumtul ağ
Ərimə nöqtəsi	937°C, 1211.40K
Qaynama nöqtəsi	2833°C, 3106K
Sıxlıq 300K	5,323 q/sm³
Daxili müqavimət	46 Ω-sm
CAS nömrəsi	7440-56-4
EC nömrəsi	231-164-3

Yox.	Əşyalar	Standart Spesifikasiya
1	Germanium vaflisi	2"	3"	4"	6"
2	Diametri mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5
3	Artım metodu	VGF və ya CZ	VGF və ya CZ	VGF və ya CZ	VGF və ya CZ
4	Keçiricilik	P tipli / qatqılı (Ga və ya In), N tipli/ qatqılı Sb, Tərkibsiz
5	Orientasiya	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°
6	Qalınlığı μm	145, 175, (500-1000)
7	Müqavimət Ω-sm	0,001-50	0,001-50	0,001-50	0,001-50
8	Hərəkətlilik sm2/Vs	>200	>200	>200	>200
9	TTV μm maks	5, 8, 10	5, 8, 10	5, 8, 10	5, 8, 10
10	Yay μm maks	15	15	15	15
11	Çözgü μm maks	15	15	15	15
12	Dislokasiya sm-2 maks	300	300	300	300
13	EPD sm-2	<4000	<4000	<4000	<4000
14	Hissəciklərin sayı a/wafer maks	10 (≥0,5μm-də)	10 (≥0,5μm-də)	10 (≥0,5μm-də)	10 (≥0,5μm-də)
15	Səthi bitirmə	P/E, P/P və ya tələb olunduğu kimi
16	Qablaşdırma	İçərisində tək vafli qab və ya kaset, çöldə karton qutu

Yox.	Əşyalar	Standart Spesifikasiya
1	Germanium külçəsi	2"	3"	4"	6"
2	Növ	P tipli / qatqılı (Ga, In), N tipli/ qatqılı (As, Sb), qatqısız
3	Müqavimət Ω-sm	0,1-50	0,1-50	0,1-50	0,1-50
4	Daşıyıcı Ömrü μs	80-600	80-600	80-600	80-600
5	Külçə Uzunluğu mm	140-300	140-300	140-300	140-300
6	Qablaşdırma	İçərisində plastik torbada və ya köpük qutuda, kənarda karton qutuda möhürlənmişdir
7	Qeyd	Polikristal germanium külçəsi istəyə görə verilir

Tək Kristal Germaniumdiodlar və tranzistorlar üçün elektron dərəcəli istifadə olunduğu perspektivli və geniş tətbiqlər tapır, İnfraqırmızı və ya optik dərəcəli germanium blankı və ya pəncərəsi IR optik pəncərə və ya disklər üçün, gecə görmədə istifadə olunan optik komponentlər və təhlükəsizlik üçün termoqrafik görüntüləmə həlləri, uzaqdan temperaturun ölçülməsi, yanğınsöndürmə və sənaye monitorinq avadanlığı, yüngül qatqılı P və N tipli Germanium vaflisi də Hall effekti təcrübəsi üçün istifadə edilə bilər.Hüceyrə dərəcəsi III-V üçlü qovşaqlı günəş batareyalarında istifadə olunan substratlar və günəş batareyasının konsentratlaşdırılmış PV sistemləri və s.