Silikon karbid SiC

Təsvir

Silikon karbid vafli SiC, MOCVD üsulu ilə son dərəcə sərt, sintetik olaraq hazırlanmış silisium və karbonun kristal birləşməsidir və nümayiş etdirir.onun unikal geniş diapazonu və aşağı istilik genişlənmə əmsalı, daha yüksək işləmə temperaturu, yaxşı istilik yayılması, daha az keçid və keçiricilik itkiləri, daha çox enerjiyə qənaət edən, yüksək istilik keçiriciliyi və daha güclü elektrik sahəsinin parçalanma gücü, eləcə də daha çox konsentrasiyalı cərəyanların digər əlverişli xüsusiyyətləri vəziyyət.Western Minmetals (SC) Korporasiyasında Silikon Karbid SiC 2″ 3' 4“ və 6″ (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) diametrdə, sənaye üçün n tipli, yarıizolyasiyalı və ya dummy gofret ilə təmin edilə bilər. və laboratoriya tətbiqi. İstənilən fərdi spesifikasiya bütün dünyada müştərilərimiz üçün mükəmməl həll üçündür.

Proqramlar

Yüksək keyfiyyətli 4H/6H Silicon Carbide SiC vafli, Schottky diodları və SBD, yüksək güclü keçid MOSFET və JFET-lər və s. kimi bir çox qabaqcıl üstün sürətli, yüksək temperatur və yüksək gərginlikli elektron cihazların istehsalı üçün mükəmməldir. həmçinin izolyasiya edilmiş bipolyar tranzistorların və tiristorların tədqiqi və inkişafında arzu olunan materialdır.Görkəmli yeni nəsil yarımkeçirici material kimi, Silicon Carbide SiC vafli, həmçinin yüksək güclü LED komponentlərində səmərəli istilik yayıcı və ya gələcək məqsədyönlü elmi kəşfiyyatın lehinə GaN təbəqəsinin böyüməsi üçün sabit və populyar substrat kimi xidmət edir.

İndi sorğu

Təfərrüatlar

Teqlər

Texniki spesifikasiya

Silikon karbid SiC

Silikon karbid SiCWestern Minmetals (SC) Corporation-da 2″ 3' 4“ və 6″ (50mm, 75mm, 100mm, 150mm) diametrdə, sənaye və laboratoriya tətbiqi üçün n tipli, yarıizolyasiyalı və ya dummy gofret ilə təmin edilə bilər. .İstənilən xüsusi spesifikasiya bütün dünyada müştərilərimiz üçün mükəmməl həlldir.

Xətti Formula	SiC
Molekulyar çəki	40.1
Kristal quruluş	Vurtsit
Görünüş	Möhkəm
Ərimə nöqtəsi	3103±40K
Qaynama nöqtəsi	Yoxdur
Sıxlıq 300K	3,21 q/sm³
Enerji boşluğu	(3.00-3.23) eV
Daxili müqavimət	>1E5 Ω-sm
CAS nömrəsi	409-21-2
EC nömrəsi	206-991-8

Yox.	Əşyalar	Standart Spesifikasiya
1	SiC Ölçüsü	2"	3"	4"	6"
2	Diametri mm	50,8 0,38	76,2 0,38	100 0.5	150 0.5
3	Artım metodu	MOCVD	MOCVD	MOCVD	MOCVD
4	Keçiricilik növü	4H-N, 6H-N, 4H-SI, 6H-SI
5	Müqavimət Ω-sm	0,015-0,028;0,02-0,1;>1E5
6	Orientasiya	0°±0,5°;<1120> istiqamətində 4,0°
7	Qalınlığı μm	330±25	330±25	(350-500)±25	(350-500)±25
8	İlkin Mənzil Yeri	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°	<1-100>±5°
9	İlkin Düz Uzunluq mm	16±1,7	22,2±3,2	32,5±2	47,5±2,5
10	İkinci dərəcəli mənzil	Silikon üzü yuxarı: 90°, əsas düz ±5.0°-dən saat əqrəbi istiqamətində
11	İkinci dərəcəli düz uzunluq mm	8±1,7	11,2±1,5	18±2	22±2,5
12	TTV μm maks	15	15	15	15
13	Yay μm maks	40	40	40	40
14	Çözgü μm maks	60	60	60	60
15	Kənar İstisna mm maks	1	2	3	3
16	Mikroborunun sıxlığı sm-2	<5, sənaye;<15, laboratoriya;<50, dummy
17	Dislokasiya sm-2	<3000, sənaye;<20000, laboratoriya;<500000, dummy
18	Səthin pürüzlülüyü nm maks	1 (Cilalanmış), 0,5 (CMP)
19	Çatlaqlar	Yoxdur, sənaye dərəcəsi üçün
20	Altıbucaqlı Plitələr	Yoxdur, sənaye dərəcəsi üçün
21	cızıqlar	≤3mm, ümumi uzunluq substratın diametrindən azdır
22	Kenar çipləri	Yoxdur, sənaye dərəcəsi üçün
23	Qablaşdırma	Alüminium kompozit torbada möhürlənmiş tək vafli qab.

Silikon karbid SiC 4H/6Hyüksək keyfiyyətli vafli bir çox qabaqcıl üstün sürətli, yüksək temperaturlu və yüksək gərginlikli elektron cihazların istehsalı üçün mükəmməldir, məsələn, Schottky diodları və SBD, yüksək güclü keçid MOSFET və JFET-lər və s. izolyasiyalı qapılı bipolyar tranzistorların və tiristorların tədqiqi və inkişafı.Görkəmli yeni nəsil yarımkeçirici material kimi, Silicon Carbide SiC vafli, həmçinin yüksək güclü LED komponentlərində səmərəli istilik yayıcı və ya gələcək məqsədyönlü elmi kəşfiyyatın lehinə GaN təbəqəsinin böyüməsi üçün sabit və populyar substrat kimi xidmət edir.