Qallium antimonid GaSb

Təsvir

Qallium antimonid GaSb, sink-qarışıq qəfəs quruluşuna malik III-V qrup birləşmələrinin yarımkeçirici, 6N 7N yüksək saflıqda qallium və sürmə elementləri ilə sintez edilir və istiqamətli dondurulmuş polikristal külçədən LEC üsulu ilə və ya EPD<1000sm olan VGF üsulu ilə kristallaşdırılır.^-3.GaSb vaflisi elektrik parametrlərinin yüksək vahidliyinə, unikal və sabit qəfəs strukturlarına və digər qeyri-metal birləşmələrə nisbətən aşağı qüsur sıxlığına, ən yüksək sındırma indeksinə malik olan tək kristal külçəyə kəsilə və sonradan hazırlana bilər.GaSb dəqiq və ya kənar oriyentasiya, aşağı və ya yüksək qatqılı konsentrasiya, yaxşı səth bitirmə və MBE və ya MOCVD epitaksial böyümə üçün geniş seçim ilə işlənə bilər.Gallium Antimonide substratı foto detektorların, uzun ömürlü, yüksək həssaslığa və etibarlılığa malik infraqırmızı detektorların, fotorezist komponentin, infraqırmızı LED və lazerlərin, tranzistorların, termal fotovoltaik elementlərin istehsalı kimi ən qabaqcıl foto-optik və optoelektronik tətbiqlərdə istifadə olunur. və termo-fotovoltaik sistemlər.

Çatdırılma

Western Minmetals (SC) korporasiyasında Gallium Antimonide GaSb 2” 3” və 4” (50mm, 75mm, 100mm) diametrdə, oriyentasiya <111> n-tipli, p-tipli və əlavə edilməmiş yarımizolyasiya keçiriciliyi ilə təklif oluna bilər. və ya <100> və vafli səthi kəsilmiş, naxışlanmış, cilalanmış və ya yüksək keyfiyyətli epitaksiyaya hazır bitirmə ilə.Bütün dilimlər şəxsiyyəti müəyyənləşdirmək üçün ayrı-ayrılıqda lazerlə yazılmışdır.Eyni zamanda, polikristal qallium antimonid GaSb topağı da tələb əsasında mükəmməl həll üçün fərdiləşdirilir.

İndi sorğu

Təfərrüatlar

Teqlər

Texniki spesifikasiya

Qallium antimonid

GaSb

Qallium antimonid GaSbSubstrat foto detektorların, uzun ömürlü, yüksək həssaslığa və etibarlılığa malik infraqırmızı detektorların, fotorezist komponentlərin, infraqırmızı LED və lazerlərin, tranzistorların, termal fotovoltaik elementlərin və termoelektronikanın istehsalı kimi ən qabaqcıl foto-optik və optoelektronik tətbiqlərdə istifadə olunur. - fotovoltaik sistemlər.

	Əşyalar	Standart Spesifikasiya
1	Ölçü	2"	3"	4"
2	Diametri mm	50,5±0,5	76,2±0,5	100±0,5
3	Artım metodu	LEC	LEC	LEC
4	Keçiricilik	P tipli/Zn qatqılı, qatqısız, N tipli/Te qatqılı
5	Orientasiya	(100)±0,5°, (111)±0,5°
6	Qalınlığı μm	500±25	600±25	800±25
7	Orientasiya Düz mm	16±2	22±1	32,5±1
8	İdentifikasiya Düz mm	8±1	11±1	18±1
9	Hərəkətlilik sm2/Vs	200-3500 və ya tələb olunduğu kimi
10	Daşıyıcı konsentrasiyası sm-3	(1-100)E17 və ya tələb olunduğu kimi
11	TTV μm maks	15	15	15
12	Yay μm maks	15	15	15
13	Çözgü μm maks	20	20	20
14	Dislokasiya Sıxlığı sm-2 maks	500	1000	2000
15	Səthi bitirmə	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
16	Qablaşdırma	Alüminium torbada möhürlənmiş tək vafli qab.

Xətti Formula	GaSb
Molekulyar çəki	191.48
Kristal quruluş	Sink qarışığı
Görünüş	Boz kristal bərk
Ərimə nöqtəsi	710°C
Qaynama nöqtəsi	Yoxdur
Sıxlıq 300K	5,61 q/sm³
Enerji boşluğu	0,726 eV
Daxili müqavimət	1E3 Ω-sm
CAS nömrəsi	12064-03-8
EC nömrəsi	235-058-8

Qallium antimonid GaSbWestern Minmetals (SC) Corporation-da 2” 3” və 4” (50mm, 75mm, 100mm) diametrdə, istiqaməti <111> və ya <100 olan n-tipli, p-tipli və əlavə edilməmiş yarımizolyasiya keçiriciliyi təklif oluna bilər. >, və vafli səthi kəsilmiş, naxışlanmış, cilalanmış və ya yüksək keyfiyyətli epitaksiyə hazır bitirmə ilə.Bütün dilimlər şəxsiyyəti müəyyənləşdirmək üçün fərdi olaraq lazerlə yazılmışdır.Eyni zamanda, polikristal qallium antimonid GaSb topağı da tələb əsasında mükəmməl həll üçün fərdiləşdirilir.