FZ NTD Silikon Gofret

Təsvir

FZ-NTD Silikon Gofret, Float-Zone Neytron Transmutation Doped Silicon Wafer kimi tanınır.Oksigensiz, yüksək saflıqda və ən yüksək müqavimətli silikon əldə edilə bilər by Float-zona FZ ( Zone-Floating) kristal artımı, Hyüksək müqavimətli FZ silisium kristalı tez-tez Neytron Transmutasiya Dopinqi (NTD) prosesi ilə aşqarlanır, bu prosesdə neytronlarla tələyə salınmış silikon izotopları etmək üçün əlavə edilməmiş float zona silikonuna neytron şüalanması və sonra dopinq məqsədinə çatmaq üçün arzu olunan əlavə maddələrə parçalanır.Neytron radiasiyasının səviyyəsini tənzimləmək yolu ilə müqaviməti xarici əlavə maddələr daxil etmədən dəyişdirmək və buna görə də materialın saflığını təmin etmək olar.FZ NTD silisium vafliləri (Float Zone Neytron Transmutation Doping Silicon) vahid dopinq konsentrasiyası və vahid radial müqavimət paylanması, ən aşağı çirklənmə səviyyələri, yüksək keyfiyyətli texniki xüsusiyyətlərə malikdir.və yüksək azlıq daşıyıcısının ömrü.

Çatdırılma

Perspektivli güc tətbiqləri üçün bazarda aparıcı NTD silikon tədarükçüsü olaraq və yüksək keyfiyyətli vaflilərə artan tələblərdən sonra üstün FZ NTD silikon vafliWestern Minmetals (SC) Corporation-da dünya üzrə müştərilərimizə 2″, 3″, 4″, 5″ və 6″ diametrə (50mm, 75mm, 100mm, 125mm və 150mm) qədər müxtəlif ölçülərdə və geniş müqavimət diapazonunda təklif oluna bilər. 5 ilə 2000 ohm.sm arasında <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0-0> oriyentasiyalarda, köpük qutusu və ya kaset paketində kəsilmiş, qatlanmış, cilalanmış və cilalanmış səth ilə , və ya mükəmməl həll üçün xüsusi spesifikasiya kimi.

İndi sorğu

Təfərrüatlar

Teqlər

Texniki spesifikasiya

FZ NTD Silikon Gofret

Perspektivli güc tətbiqləri üçün bazarda aparıcı FZ NTD silikon tədarükçüsü olaraq və yüksək keyfiyyətli vaflilərə artan tələblərdən sonra Western Minmetals (SC) Corporation-da üstün FZ NTD silikon vaflisi dünya miqyasında müştərilərimizə 2 ölçüdən müxtəlif ölçülərdə təklif oluna bilər. diametri ″-dən 6″-ə qədər (50, 75, 100, 125 və 150mm) və geniş müqavimət diapazonu 5 ilə 2000 ohm-sm arasında <1-1-1>, <1-1-0>, <1-0- Köpük qutusu və ya kaset paketində, kənarda karton qutuda və ya mükəmməl həllə uyğunlaşdırılmış spesifikasiya olaraq, lapped, kazınmış və cilalanmış səth ilə oriyentasiyalar.

Yox.	Əşyalar	Standart Spesifikasiya
1	Ölçü	2"	3"	4"	5"	6"
2	Diametr	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	125±0,5	150±0,5
3	Keçiricilik	n tipli	n tipli	n tipli	n tipli	n tipli
4	Orientasiya	<100>, <111>, <110>
5	Qalınlığı μm	279, 381, 425, 525, 575, 625, 675, 725 və ya tələb olunduqda
6	Müqavimət Ω-sm	36-44, 44-52, 90-110, 100-250, 200-400 və ya tələb olunduğu kimi
7	RRV maks	8%, 10%, 12%
8	TTV μm maks	10	10	10	10	10
9	Bow/Warp μm maks	30	30	30	30	30
10	Daşıyıcı Ömrü μs	>200， >300， >400 və ya tələb olunduğu kimi
11	Səthi bitirmə	Kəsilmiş, Lapped, Cilalanmış
12	Qablaşdırma	İçərisində köpük qutusu, çöldə karton qutu.

Əsas material parametri

Simvol	Si
Atom nömrəsi	14
Atom çəkisi	28.09
Element Kateqoriya	Metalloid
Qrup, Dövr, Blok	14, 3, S
Kristal quruluş	almaz
Rəng	Tünd Boz
Ərimə nöqtəsi	1414°C, 1687,15 K
Qaynama nöqtəsi	3265°C, 3538,15 K
Sıxlıq 300K	2,329 q/sm³
Daxili müqavimət	3.2E5 Ω-sm
CAS nömrəsi	7440-21-3
EC nömrəsi	231-130-8

FZ-NTD Silikon Gofretyüksək gücdə, detektor texnologiyalarında və ekstremal şəraitdə işləməli olan yarımkeçirici cihazlarda və ya vafli üzərində aşağı müqavimət dəyişikliyinin tələb olunduğu yerlərdə tətbiqlər üçün böyük əhəmiyyət kəsb edir, məsələn, qapını söndürən tiristor GTO, statik induksiya tiristoru SITH, nəhəng tranzistor GTR, izolyasiya qapılı bipolyar tranzistor IGBT, əlavə HV diod PIN kodu.FZ NTD n-tipli silikon vafli müxtəlif tezlik çeviriciləri, rektifikatorlar, böyük gücə malik idarəetmə elementləri, yeni güc elektron cihazları, fotoelektron cihazlar, silikon rektifikator SR, silikon nəzarət SCR və linzalar və pəncərələr kimi optik komponentlər üçün əsas funksional materialdır. terahertz tətbiqləri üçün.