Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

Epitaksial (EPI) Silikon Gofret

Təsvir

Epitaksial silikon vaflivə ya EPI Silicon Wafer, epitaksial böyümə ilə silisium substratının cilalanmış kristal səthinə çökdürülmüş yarımkeçirici kristal təbəqənin bir vaflisidir.Epitaksial təbəqə homojen epitaksial böyümə ilə substratla eyni material və ya kimyəvi buxar çökdürmə CVD, maye fazalı epitaksiya LPE, eləcə də molekulyar şüa daxil olmaqla, epitaksial böyümə texnologiyasını qəbul edən heterojen epitaksial böyümə ilə xüsusi arzu olunan keyfiyyətə malik ekzotik təbəqə ola bilər. epitaxy MBE aşağı qüsur sıxlığı və yaxşı səth pürüzlülüyünün ən yüksək keyfiyyətinə nail olmaq üçün.Silikon Epitaksial Gofretlər əsasən qabaqcıl yarımkeçirici cihazların, yüksək inteqrasiya olunmuş yarımkeçirici elementlərin IC-lərinin, diskret və güc cihazlarının istehsalında istifadə olunur, həmçinin bipolyar tip, MOS və BiCMOS cihazları kimi IC üçün diod və tranzistor elementi və ya substrat üçün istifadə olunur.Bundan əlavə, çox qatlı epitaksial və qalın film EPI silikon vafliləri mikroelektronika, fotonik və fotovoltaik tətbiqlərdə tez-tez istifadə olunur.

Çatdırılma

Western Minmetals (SC) Korporasiyasında Epitaksial Silicon Gofres və ya EPI Silicon Gofres 4, 5 və 6 düym (100mm, 125mm, 150mm diametr) ölçülərində təklif oluna bilər, orientasiya <100>, <111>, epilayer müqaviməti <1ohm -sm və ya 150ohm-sm-ə qədər və epilayın qalınlığı<1um və ya 150um-a qədər, həkk olunmuş və ya LTO ilə işlənmiş səthin müxtəlif tələblərini ödəmək üçün, kənarda karton qutu ilə kasetdə qablaşdırılır və ya mükəmməl həll üçün fərdi spesifikasiya kimi .

İndi sorğu

Təfərrüatlar

Teqlər

Texniki spesifikasiya

Epi Silikon Gofret

Epitaksial Silikon Vaflilərvə ya Western Minmetals (SC) Korporasiyasında EPI Silicon Gofreti 4, 5 və 6 düym (diametr 100mm, 125mm, 150mm), oriyentasiya <100>, <111>, epilayer müqaviməti <1ohm-sm və ya 150ohm-sm-ə qədər və epilayın qalınlığı<1um və ya 150um-a qədər, həkk olunmuş və ya LTO ilə işlənmiş səthin işlənməsi üçün müxtəlif tələbləri ödəmək üçün, kənarda karton qutu ilə kasetdə qablaşdırılır və ya mükəmməl həll üçün fərdi spesifikasiya kimi.

Simvol	Si
Atom nömrəsi	14
Atom çəkisi	28.09
Element Kateqoriya	Metalloid
Qrup, Dövr, Blok	14, 3, S
Kristal quruluş	almaz
Rəng	Tünd Boz
Ərimə nöqtəsi	1414°C, 1687,15 K
Qaynama nöqtəsi	3265°C, 3538,15 K
Sıxlıq 300K	2,329 q/sm³
Daxili müqavimət	3.2E5 Ω-sm
CAS nömrəsi	7440-21-3
EC nömrəsi	231-130-8

Yox.	Əşyalar	Standart Spesifikasiya
1	Ümumi Xüsusiyyətlər
1-1	Ölçü	4"	5"	6"
1-2	Diametri mm	100±0,5	125±0,5	150±0,5
1-3	Orientasiya	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	Epitaksial təbəqənin xüsusiyyətləri
2-1	Artım metodu	CVD	CVD	CVD
2-2	Keçiricilik növü	P və ya P+, N/ və ya N+	P və ya P+, N/ və ya N+	P və ya P+, N/ və ya N+
2-3	Qalınlığı μm	2.5-120	2.5-120	2.5-120
2-4	Qalınlıq vahidliyi	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	Müqavimət Ω-sm	0,1-50	0,1-50	0,1-50
2-6	Müqavimət Vahidliyi	≤3%	≤5%	-
2-7	Dislokasiya sm-2	<10	<10	<10
2-8	Səth keyfiyyəti	Çip, duman və portağal qabığı qalmır və s.
3	Substrat xüsusiyyətlərini idarə edin
3-1	Artım metodu	CZ	CZ	CZ
3-2	Keçiricilik növü	P/N	P/N	P/N
3-3	Qalınlığı μm	525-675	525-675	525-675
3-4	Qalınlıq Vahidlik maks	3%	3%	3%
3-5	Müqavimət Ω-sm	Tələb olunan	Tələb olunan	Tələb olunan
3-6	Müqavimət Vahidliyi	5%	5%	5%
3-7	TTV μm maks	10	10	10
3-8	Yay μm maks	30	30	30
3-9	Çözgü μm maks	30	30	30
3-10	EPD sm-2 maks	100	100	100
3-11	Kenar Profili	Dairəvi	Dairəvi	Dairəvi
3-12	Səth keyfiyyəti	Çip, duman və portağal qabığı qalmır və s.
3-13	Arxa tərəfi bitirmə	Etched və ya LTO (5000±500Å)
4	Qablaşdırma	İçəridə kaset, çöldə karton qutu.

Silikon epitaksial vaflilərəsasən qabaqcıl yarımkeçirici cihazların, yüksək inteqrasiya olunmuş yarımkeçirici elementlərin IC-lərinin, diskret və güc cihazlarının istehsalında istifadə olunur, həmçinin bipolyar tipli, MOS və BiCMOS cihazları kimi IC üçün diod və tranzistor elementi və ya substrat üçün istifadə olunur.Bundan əlavə, çox qatlı epitaksial və qalın film EPI silikon vafliləri mikroelektronika, fotonik və fotovoltaik tətbiqlərdə tez-tez istifadə olunur.