Qallium Arsenid GaAs

Təsvir

Qallium arsenidGaAs a ən azı 6N 7N yüksək saflıqda qallium və arsen elementi ilə sintez edilmiş III-V qrupunun birbaşa zolaqlı mürəkkəb yarımkeçirici və yüksək saflıqda polikristal qallium arsenidindən VGF və ya LEC prosesi ilə yetişdirilmiş kristal, boz rəngli görünüş, sink-qarışıq strukturlu kub kristallar.Karbon, silisium, tellur və ya sinkin aşqarlanması ilə müvafiq olaraq n-tipi və ya p-tipi və yarıizolyasiya keçiriciliyi əldə etmək üçün silindrik InAs kristalı kəsilə bilər və kəsilmiş, oyulmuş, cilalanmış və ya epik formada boş və vafli şəklində hazırlana bilər. -MBE və ya MOCVD epitaksial böyüməyə hazırdır.Gallium Arsenide gofreti əsasən infraqırmızı işıq yayan diodlar, lazer diodları, optik pəncərələr, sahə effektli tranzistorlar FET-lər, rəqəmsal IC-lərin xətti və günəş elementləri kimi elektron cihazların istehsalı üçün istifadə olunur.GaAs komponentləri ultra yüksək radiotezliklərdə və sürətli elektron keçid proqramlarında, zəif siqnal gücləndirmə proqramlarında faydalıdır.Bundan əlavə, Gallium Arsenide substratı RF komponentlərinin, mikrodalğalı tezliyi və monolit IC-lərin və optik rabitə və idarəetmə sistemlərində LED cihazlarının doyma zalının hərəkətliliyi, yüksək güc və temperatur sabitliyi üçün istehsalı üçün ideal materialdır.

Çatdırılma

Western Minmetals (SC) Corporation-da Gallium Arsenide GaAs 2” 3” 4” və 6” (50 mm, 75mm, 100mm, 150mm) diametri, p-tipi, n-tipi və ya yarıizolyasiya keçiriciliyi və <111> və ya <100> istiqaməti ilə.Fərdiləşdirilmiş spesifikasiya bütün dünya üzrə müştərilərimiz üçün mükəmməl həlldir.

İndi sorğu

Təfərrüatlar

Teqlər

Texniki spesifikasiya

Qallium arsenid

GaAs

Qallium Arsenid GaAsvaflilər əsasən infraqırmızı işıq yayan diodlar, lazer diodları, optik pəncərələr, sahə effektli tranzistorlar FET-lər, rəqəmsal IC-lərin xətti və günəş elementləri kimi elektron cihazların istehsalı üçün istifadə olunur.GaAs komponentləri ultra yüksək radiotezliklərdə və sürətli elektron keçid proqramlarında, zəif siqnal gücləndirmə proqramlarında faydalıdır.Bundan əlavə, Gallium Arsenide substratı RF komponentlərinin, mikrodalğalı tezliyi və monolit IC-lərin və optik rabitə və idarəetmə sistemlərində LED cihazlarının doyma zalının hərəkətliliyi, yüksək güc və temperatur sabitliyi üçün istehsalı üçün ideal materialdır.

Yox.	Əşyalar	Standart Spesifikasiya
1	Ölçü	2"	3"	4"	6"
2	Diametri mm	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0,5	150±0,5
3	Artım metodu	VGF	VGF	VGF	VGF
4	Keçiricilik növü	N-Tip/Si və ya Te-qatqılı, P-Tip/Zn-qatqılı, Yarıizolyasiyalı/Təşviqsiz
5	Orientasiya	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°
6	Qalınlığı μm	350±25	625±25	625±25	650±25
7	Orientasiya Düz mm	17±1	22±1	32±1	çentik
8	İdentifikasiya Düz mm	7±1	12±1	18±1	-
9	Müqavimət Ω-sm	(1-9)E(-3) p-tip və ya n-tip üçün, (1-10)E8 yarımizolyasiya üçün
10	Hərəkətlilik sm2/s	p-tipi üçün 50-120, n-tipi üçün (1-2.5)E3, yarımizolyasiya üçün ≥4000
11	Daşıyıcı konsentrasiyası sm-3	(5-50) p-tipi üçün E18, n-tipi üçün (0.8-4)E18
12	TTV μm maks	10	10	10	10
13	Yay μm maks	30	30	30	30
14	Çözgü μm maks	30	30	30	30
15	EPD sm-2	5000	5000	5000	5000
16	Səthi bitirmə	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	Qablaşdırma	Alüminium kompozit torbada möhürlənmiş tək vafli konteyner.
18	Qeydlər	İstək əsasında mexaniki dərəcəli GaAs vaflisi də mövcuddur.

Xətti Formula	GaAs
Molekulyar çəki	144.64
Kristal quruluş	Sink qarışığı
Görünüş	Boz kristal bərk
Ərimə nöqtəsi	1400°C, 2550°F
Qaynama nöqtəsi	Yoxdur
Sıxlıq 300K	5,32 q/sm³
Enerji boşluğu	1,424 eV
Daxili müqavimət	3.3E8 Ω-sm
CAS nömrəsi	1303-00-0
EC nömrəsi	215-114-8

Qallium Arsenid GaAsWestern Minmetals (SC) Corporation-da 2” 3” 4” və 6” (50mm, 75mm, 100mm) ölçülərində kəsilmiş, işlənmiş, cilalanmış və ya epi-hazır vaflilərdə polikristal parça və ya tək kristal vafli şəklində təqdim edilə bilər. , 150mm) diametri, p-tipi, n-tipi və ya yarımizolyasiya keçiriciliyi və <111> və ya <100> istiqaməti ilə.Fərdiləşdirilmiş spesifikasiya bütün dünya üzrə müştərilərimiz üçün mükəmməl həlldir.